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关于“一种具有过渡层结构的半导体用石墨基座盘及其制备方法”等两件发明专利转让的公示


  • 文章作者:
  • 发布账号:卢奇
  • 发布时间:2022-03-08
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各学部(院):

    根据南京工业大学科技成果转化管理办法(南工校科〔2019〕2号)及南京工业大学科技成果转化实施细则(南工校科〔2019〕3号),现将我校“一种具有过渡层结构的半导体用石墨基座盘及其制备方法”等两件发明专利转让有关事项公示如下:

一、发明专利基本情况

专利1

专利名称:一种具有过渡层结构的半导体用石墨基座盘及其制备方法

专利号:ZL202011278741.8

发明人:汪洋、杨建、苏凯、李权  

专利简介:本发明公开了一种具有过渡层结构的半导体用石墨基座盘及其制备方法,包括从下往上依次包括依次层叠的石墨基座盘基体、第一SiC界面层、Si过渡层、第二SiC界面层、热解炭过渡层以及梯度SiC涂层。本发明在反应室高温下沉积的硅过渡层可与石墨基座盘基体在反应界面处形成致密第一SiC界面层,从而构成化学键结合,提高涂层的结合强度,在反应室高温下沉积的硅过渡层可与石墨基座盘基体在反应界面处形成致密第一SiC界面层,从而构成化学键结合,提高涂层的结合强度,梯度SiC涂层的组分含量呈线性梯度分布,进一步缓解涂层与基体之间的热匹配差异;本发明可缓解涂层与基体之间的热应力,可有效避免涂层裂纹的产生,提高其使用寿命。


专利2

专利名称:一种石墨基座盘表面梯度TaC涂层  

专利号:ZL202011278669.9

发明人:汪洋、杨建、苏凯、李权  

专利简介:本发明公开了一种石墨基座盘表面梯度TaC涂层,包括石墨基座盘基体,石墨基座盘基体的表面设有梯度TaC涂层;梯度TaC涂层包括TaC组份和C组份,TaC组份含量从内至外从0%逐渐增加到100%,且梯度分布符合y=ax线性方程规律或者符合y=ax2抛物线性规律分布。本发明利用CVD动态共沉积技术,实现涂层中TaC组分含量从0-100%的梯度跨越,由于涂层内层为热解炭层,其与石墨基体热膨胀系数相近,随后逐渐过渡,可有效改善涂层与基体之间的热匹配差异;同时涂层中软质C组份结构和纳米孔隙可有效缓解TaC晶体的热膨胀,以降低涂层内的应力峰值。


二、转让方式:专利权转让


三、转让价格:30万元


四、公示期为2022年3月8日至2022年3月22日


公示期间,如有异议,请以书面、电话形式向科学研究院反映。

联系方式:025-58139211,行政楼431办公室。




 

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